品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
功率:88W
导通电阻:4mΩ@24A,10V
栅极电荷:53nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2693pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2610pF@13V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
功率:88W
导通电阻:4mΩ@24A,10V
栅极电荷:53nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2693pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
功率:88W
导通电阻:4mΩ@24A,10V
栅极电荷:53nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: