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    4.6nC@10V 42nC@10V 4.2nC@4.5V 3.4nC@4.5V 26.7nC@10V 5.5nC@10V 6.7nC@4.5V 47nC@8V 10.5nC@10V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 26nC@10V 39nC@10V 20nC@4.5V 3nC@4.5V 116.1nC@10V 8.6nC@10V 12nC@10V 10.5nC@5V 33.3nC@10V 13nC@10V 25.2nC@10V 4.5nC@10V 16.1nC@10V 25.1nC@10V 8.1nC@5V 17.1nC@10V 30nC@10V 4.1nC@4.5V 22.6nC@10V 9.6nC@4.5V 8.3nC@4.5V 95.4nC@10V 8.3nC@10V 6.5nC@4.5V 9.7nC@10V 7nC@10V 7.7nC@10V 8.7nC@10V 15.6nC@10V 50.6nC@8V 41.3nC@10V 11.6nC@4.5V 5.5nC@4.5V 15nC@4.5V 392nC@4.5V 11.7nC@10V 34nC@10V 16.7nC@10V 6nC@10V 12.3nC@10V 18.9nC@10V 4.8nC@4.5V 142nC@10V 5nC@10V 23.1nC@4.5V 130.6nC@10V 15.1nC@10V 4.5nC@4.5V 37nC@10V 7.8nC@4.5V 3.2nC@10V 5.7nC@10V 24.2nC@5V 4.1nC@10V 74nC@10V 8.1nC@10V 17.2nC@10V 53.7nC@10V 47.1nC@10V 123nC@10V 18nC@8V 23.4nC@8V 5.4nC@10V 18.6nC@10V 19.1nC@10V 33.5nC@10V 9.2nC@10V 14.9nC@10V 1.08nC@10V 25nC@10V 7.4nC@10V 6.7nC@10V 14.5nC@4.5V 17nC@10V 56nC@10V 3.9nC@10V 6.6nC@10V 11.3nC@10V 14nC@10V 20nC@10V 11.2nC@10V 3.6nC@4.5V 1.2nC@10V 8.7nC@5V 11nC@4.5V 5.6nC@10V 5.8nC@10V 10nC@10V 20.2nC@4.5V 21nC@10V 19.3nC@10V 10.3nC@10V 11.4nC@10V 6.6nC@4.5V 8.2nC@4.5V 8.4nC@10V 7.5nC@4.5V 2.93nC@4.5V 18.2nC@10V 86nC@10V 22.2nC@10V 55.4nC@10V 4.8nC@10V 1.5nC@10V 55nC@10V 18.85nC@10V 13.2nC@10V 3.65nC@10V 47nC@10V 2.9nC@10V 2nC@4.5V 7nC@4.5V 12.5nC@10V 2nC@10V 3.7nC@10V 4.6nC@4.5V 68nC@10V 96.3nC@10V 20.4nC@10V 49nC@10V 1.6nC@4.5V 12.9nC@10V 27nC@8V 12.1nC@10V 8.5nC@4.5V 10.6nC@10V 7.6nC@10V 22.4nC@10V 50nC@10V 2.8nC@10V 1.5nC@4.5V 29nC@10V 56.5nC@10V 64.2nC@10V 71nC@10V 16nC@10V 5.4nC@4.5V 1.7nC@10V 31.8nC@10V 164nC@10V 21.4nC@10V 500nC@4.5V 9.8nC@10V 130.8nC@10V 18.4nC@10V 37.5nC@10V 50.4nC@10V 11.6nC@10V 2.3nC@10V 37.7nC@10V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 1.3nC@10V 21.3nC@10V 9.47nC@5V 12.6nC@10V 99nC@10V 3.1nC@10V 10.2nC@10V 67.7nC@10V 821nC@10V 13.3nC@10V 17.4nC@10V 50.4nC@8V 56.4nC@10V 21.5nC@4.5V 17.16nC@10V 42.3nC@10V 0.74nC@5V 0.55nC@4.5V 0.87nC@10V 0.9nC@10V 0.45nC@4.5V 0.55nC@10V 45.6nC@10V 0.95nC@10V 82.2nC@10V 0.6nC@4.5V 43.7nC@10V 0.233nC@10V 0.22nC@4.5V 0.9nC@4.5V 0.36nC@4.5V 58.3nC@10V 0.89nC@4.5V 0.88nC@4.5V 0.93nC@10V 25.8nC@8V 0.7nC@4.5V 0.4nC@4.5V 0.821nC@10V 0.74nC@4.5V 30.6nC@10V 0.41nC@4.5V 0.3nC@4.5V 0.5nC@4.5V 0.82nC@10V 0.8nC@10V 0.35nC@4.5V 18.9nC@30V 45.7nC@10V 47.5nC@10V 1.52nC@4.5V 0.85nC@4.5V 0.96nC@4.5V 26.8nC@10V
    连续漏极电流
    品牌: DIODES
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:1.2万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3110S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305.8pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:82.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4508pF@20V

    连续漏极电流:26A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4036LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:42.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@10V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870.7pF@25V

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-13-F 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-13-F 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:710mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT67M8LPSW-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT67M8LPSW-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@30V

    连续漏极电流:17.3A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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