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    类型: N沟道
    包装方式: 管件
    行业应用: 汽车
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    当前匹配商品:2200+
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    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK60Z

    工作温度:150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6076ENZ1C9 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6076ENZ1C9 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6076ENZ1C9

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@44.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2225-E 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2225-E 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2225-E

    工作温度:150℃

    功率:50W

    包装方式:管件

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@1A,15V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N55M5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N55M5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N55M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@8A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW3N150 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW3N150 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW3N150

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:939pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9Ω@1.3A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW55NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW55NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW55NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:350W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@50V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:3.7V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK60Z

    工作温度:150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF3N62K3 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STF3N62K3 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF3N62K3

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:385pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDFP03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2W€32W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60ZFP 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60ZFP 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK60ZFP

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFW3N150 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STFW3N150 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFW3N150

    工作温度:150℃

    功率:63W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:939pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9Ω@1.3A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW4N150 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW4N150 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW4N150

    工作温度:150℃

    功率:160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@2A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW48NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW48NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48NM60N

    工作温度:150℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4285pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW56N60M2-4

    工作温度:150℃

    功率:350W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@100V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N65M5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N65M5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N65M5

    工作温度:150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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