采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP270N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：193nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75542P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP270N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：193nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：450，"22+"：460，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT480L
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7820pF@40V
连续漏极电流：15A€180A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT480L
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7820pF@40V
连续漏极电流：15A€180A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP270N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：193nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP270N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：193nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP270N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：193nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75542P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT480L
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7820pF@40V
连续漏极电流：15A€180A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：450，"22+"：460，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75542P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
