品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH070N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:166nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4925pF@380V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH52N65X
工作温度:-55℃~150℃
功率:660W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2-4
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW52NK25Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@150µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW52NK25Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@150µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW52NK25Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@150µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:59nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:59nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:59nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:59nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: