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    类型: N沟道
    包装方式: 管件
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    栅极电荷: 88nC@10V
    当前匹配商品:60+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N40D-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N40D-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW56N65DM2 起订600个装
    ST Mosfet场效应管 STW56N65DM2 起订600个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW56N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW58N65DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW58N65DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N40D-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N40D-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

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    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N40D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订112个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订112个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQAF13N80 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQAF13N80 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQAF13N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}

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    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW58N65DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW58N65DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW58N65DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA13N80-F109 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA13N80-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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