品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF13N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: