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    类型: N沟道
    包装方式: 管件
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 195W
    行业应用: 工业
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT1N300P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT1N300P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT1N300P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:895pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:50Ω@500mA,10V

    漏源电压:3000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":446}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":446}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT1N300P3HV 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT1N300P3HV 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT1N300P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:895pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:50Ω@500mA,10V

    漏源电压:3000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:13A

    功率:195W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:2055pF@25V

    栅极电荷:56nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":446}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

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    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

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