品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2318CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@20V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4224pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N04-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLS3034TRL7PP
功率:380W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10990pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLP3034PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:162nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:10315pF@25V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@195A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:27.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13500pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4480
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@20V
连续漏极电流:141A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4480
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€42W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:14A€70A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13500pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€205W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12238pF@25V
连续漏极电流:67A€433A
类型:N沟道
导通电阻:0.63mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL7472L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€341W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20082pF@25V
连续漏极电流:375A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@195A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: