采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7150pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2V@24µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2019pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.56mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR402DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9100pF@20V
连续漏极电流：64.6A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9784}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"93+"：455}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRLS8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16488pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90N04S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：82.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4508pF@20V
连续漏极电流：26A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS002N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€85W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：27A€136A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
