品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:31A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9520pF@20V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:21A€98A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3024}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9520pF@20V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:31A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:21A€78A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":181,"17+":42211,"22+":3000,"23+":145031}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H400NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:46A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:21A€98A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":490,"22+":27416,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7470TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3430pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6020pF@20V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N04A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC90N04-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: