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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2318CDS-T1-GE3 起订22个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2318CDS-T1-GE3 起订22个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2318CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4224pF@20V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60N04-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:27.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@20V

    连续漏极电流:141A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2456pF@20V

    连续漏极电流:16A€96A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N04LCP ROG 起订4个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N04LCP ROG 起订4个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5509pF@20V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5660pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5660pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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