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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC015N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：33A€206A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC017N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：3.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@20V
连续漏极电流：31A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
