品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ138ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6685pF@25V
连续漏极电流:315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7504-40A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: