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    类型: N沟道
    漏源电压: 40V
    栅极电荷: 117nC@10V
    当前匹配商品:60+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138ELP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138ELP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ138ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6685pF@25V

    连续漏极电流:315A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7504-40A,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7504-40A,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7504-40A,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC007N04NM6ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.8V@1.05mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:48A€381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR414DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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