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    类型: N沟道
    漏源电压: 40V
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 23nC@10V
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:12A€54A

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订2500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    起购:2500
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订10个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订1000个装
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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订10个装
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订10个装
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订100个装
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    分类:Mosfet场效应管

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    分类:Mosfet场效应管

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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装
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    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:3.1W€68W

    输入电容:1443pF@20V

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:12A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€68W

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1269pF@20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€68W

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC50N04S5L5R5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@13µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1209pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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