品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
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功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
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功率:3.1W€68W
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
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导通电阻:11mΩ@12A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
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导通电阻:11mΩ@12A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.1W€68W
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导通电阻:11mΩ@12A,10V
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导通电阻:11mΩ@12A,10V
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
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输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
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规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
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类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.1W€68W
输入电容:1443pF@20V
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:12A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€68W
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1269pF@20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€68W
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:21A€78A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC50N04S5L5R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@13µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: