品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M4R3-40HX
工作温度:175℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M4R3-40HX
工作温度:175℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M4R3-40HX
工作温度:175℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF40B207
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@50µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2110pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@57A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: