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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
