采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
