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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
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功率：180W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€116W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6230pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
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功率：830mW€116W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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功率：180W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
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功率：100W
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栅极电荷：76nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
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功率：180W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
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功率：100W
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规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
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功率：180W
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规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
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功率：830mW€116W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
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导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
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功率：830mW€116W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
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功率：830mW€116W
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栅极电荷：78nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€116W
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栅极电荷：78nC@10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€116W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
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栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
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栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
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栅极电荷：76nC@10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：76nC@10V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
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功率：830mW€116W
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类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100N04PUK-E1-AY
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功率：1.8W€176W
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栅极电荷：120nC@10V
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输入电容：7050pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
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类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R104PL，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€116W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6230pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€176W
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7050pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
