采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6102500，"18+"：119008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3190NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：53580，"23+"：37565，"24+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3164NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：361mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3460EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3193NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：5A€6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3193NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
