采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3501NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE810DF-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3501NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE810DF-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
