采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
