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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
功率：3.1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：N-Channel
导通电阻：5.5mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
功率：3.1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：N-Channel
导通电阻：5.5mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
功率：3.1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：N-Channel
导通电阻：5.5mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
