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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
连续漏极电流：150mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：12pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
连续漏极电流：150mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
输入电容：9.5pF@3V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：3Ω@50mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N-Channel
连续漏极电流：180mA
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
连续漏极电流：150mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
导通电阻：3Ω@10mA，4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
栅极电荷：0.57nC@4.5V
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
工作温度：-65℃~150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
连续漏极电流：150mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N-Channel
连续漏极电流：180mA
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
连续漏极电流：0.15A
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N-Channel
连续漏极电流：180mA
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
导通电阻：3Ω@10mA，4V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：1.1V@100µA
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
输入电容：9.3pF@3V
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
导通电阻：3Ω@10mA，4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
栅极电荷：0.57nC@4.5V
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
工作温度：-65℃~150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
输入电容：9.5pF@3V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：3Ω@50mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37FS，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N-Channel
连续漏极电流：180mA
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
连续漏极电流：0.15A
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：150mA
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
导通电阻：3Ω@10mA，4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
栅极电荷：0.57nC@4.5V
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
工作温度：-65℃~150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：20V
功率：100mW
类型：N-Channel
连续漏极电流：180mA
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
连续漏极电流：0.15A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：12pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：150mA
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
功率：100mW
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：0.15A
类型：P-Channel
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：0.15A
类型：P-Channel
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：0.15A
类型：P-Channel
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：0.15A
类型：P-Channel
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
