品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB039N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@160µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB039N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@160µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19786}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB039N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19786}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB039N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB039N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@160µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@158µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:27A€202A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: