品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@25V
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:27.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:11.1A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€8.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@50V
连续漏极电流:12A€17A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:12.4A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3430DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@50V
连续漏极电流:58.8A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3342pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: