采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
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栅极电荷：48nC@10V
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL12N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
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类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
