采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1956，"15+"：3345，"19+"：500，"22+"：52，"9999"：383}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：353，"20+"：40，"21+"：44979，"9999"：94，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：353，"20+"：40，"21+"：44979，"9999"：94，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：353，"20+"：40，"21+"：44979，"9999"：94，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：655}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：353，"20+"：40，"21+"：44979，"9999"：94，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1956，"15+"：3345，"19+"：500，"22+"：52，"9999"：383}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF38N65M5
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF38N65M5
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF38N65M5
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
