采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R150CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：195.3W
阈值电压：4.5V@900µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：22.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTL90N65G2V
工作温度：-55℃~175℃
功率：935W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：24Ω@40A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R130C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：102W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R070C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENJTL
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R150CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：195.3W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：22.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB260N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
