采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTL90N65G2V
工作温度：-55℃~175℃
功率：935W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：24Ω@40A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC065007K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：789W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：214nC@15V
包装方式：管件
输入电容：8360pF@100V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：99A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC065007K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：789W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@15V
包装方式：管件
输入电容：8360pF@100V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：165}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R083M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：104W
阈值电压：5.7V@3.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@18V
包装方式：管件
输入电容：624pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@11.2A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R039M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：5.7V@7.5mA
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R048M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：5.7V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1910，"23+"：84930，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R039M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
