品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"03+":1445,"04+":1534,"05+":44100,"06+":30270,"07+":230625,"08+":139,"10+":3000,"9999":4900,"MI+":11653}
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD60N02R-1G
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:14nC@4.5V
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:8.5A€32A
功率:1.25W€58W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":14828}
规格型号(MPN):NTMFS4854NST3G
输入电容:4830pF@12V
包装方式:卷带(TR)
功率:900mW€86.2W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@11.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:15.2A€149A
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":21000}
规格型号(MPN):FDMS7556S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
输入电容:8965pF@13V
连续漏极电流:35A€49A
功率:2.5W€96W
导通电阻:1.2mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":28813,"08+":4320,"10+":65000,"11+":41442,"16+":22500,"12+":2500,"13+":11350,"15+":5000}
规格型号(MPN):NTD4863NT4G
功率:1.27W€36.6W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.2A€49A
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
输入电容:990pF@12V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:124A
漏源电压:25V
功率:47W
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4615pF@13V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
连续漏极电流:23A€49A
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
输入电容:2780pF@13V
功率:2.5W€46W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:16.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:10.4A€65A
输入电容:1308pF@12V
功率:1.28W€50W
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":2608}
规格型号(MPN):FDMC7572S
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2705pF@13V
连续漏极电流:22.5A€40A
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:2.3W€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03R-001
栅极电荷:13.2nC@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:10A€32A
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
导通电阻:8mΩ@20A,10V
输入电容:1333pF@20V
功率:1.36W€62.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":217616}
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.9nC@10V
功率:2.66W€46.3W
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D2N02P1E
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:23A€180A
阈值电压:2V@934µA
输入电容:4040pF@13V
导通电阻:1mΩ@38A,10V
功率:820mW€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":10425}
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD4855N-1G
栅极电荷:32.7nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:14A€98A
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2950pF@12V
包装方式:管件
功率:1.35W€66.7W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.3mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:21+
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
生产批次:{"08+":12881}
规格型号(MPN):NTD4858NA-35G
连续漏极电流:11.2A€73A
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:1563pF@12V
功率:1.3W€54.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":18000}
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:20A€152A
阈值电压:2V@700µA
输入电容:3159pF@13V
功率:800mW€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2610pF@13V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: