品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ010NE2LS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:3900pF@12V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
连续漏极电流:32A€40A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC026NE2LS5ATMA1
输入电容:1100pF@12V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
功率:2.5W€29W
连续漏极电流:24A€82A
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€28W
连续漏极电流:39A€58A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
输入电容:760pF@12V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018NE2LSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
输入电容:2500pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC015NE2LS5IATMA1
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:33A€100A
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:2000pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:5453pF@12V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.1W€89W
栅极电荷:82.1nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:650mΩ@20A,10V
连续漏极电流:41A€298A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
类型:N沟道
连续漏极电流:25A€110A
漏源电压:25V
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1700pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:60A
栅极电荷:35nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:3640pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ010NE2LS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:3900pF@12V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
连续漏极电流:32A€40A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16414Q5
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3650pF@12.5V
连续漏极电流:34A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:5453pF@12V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.1W€89W
栅极电荷:82.1nC@10V
导通电阻:650mΩ@20A,10V
连续漏极电流:41A€298A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
类型:N沟道
连续漏极电流:25A€110A
漏源电压:25V
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1700pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
连续漏极电流:41A€100A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:3900pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
栅极电荷:57nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:22A€84A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:1200pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):5000psc
规格型号(MPN):BSC010NE2LS
包装方式:Reel
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
功率:2.5W€96W
导通电阻:1mΩ@30A,10V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:39A€100A
输入电容:4700pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ031NE2LS5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
输入电容:1230pF@12V
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18.3nC@10V
连续漏极电流:19A€40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6522
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:71A€200A
导通电阻:0.95mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
功率:7.3W€83W
输入电容:7036pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC015NE2LS5IATMA1
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:33A€100A
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2000pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€28W
连续漏极电流:39A€58A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
输入电容:760pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
类型:N沟道
连续漏极电流:25A€110A
漏源电压:25V
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1700pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:23A€40A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€28W
连续漏极电流:39A€58A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
输入电容:760pF@12V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: