品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2247pF@10V
漏源电压:25V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:26nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2650pF@10V
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:60A
功率:52W
ECCN:EAR99
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:26nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2650pF@10V
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:60A
栅极电荷:35nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:3640pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:161nC@10V
功率:3.5W€7.8W
输入电容:6670pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:65.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:48nC@4.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:60A
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
功率:54.3W
输入电容:5150pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:9950pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:186nC@10V
连续漏极电流:82A€335A
功率:6.3W€104W
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1925pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:2.5W€5W
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:48nC@4.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:60A
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
功率:54.3W
输入电容:5150pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:8150pF@10V
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:71.9A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:200nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:81.7A€100A
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:200nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:81.7A€100A
ECCN:EAR99
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:161nC@10V
功率:3.5W€7.8W
输入电容:6670pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1925pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:2.5W€5W
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:48nC@4.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:60A
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
功率:54.3W
输入电容:5150pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54.3W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: