采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R900P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K4CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：31W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.8W
阈值电压：3.5V@80µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K4CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：31W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：575pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R900P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80ZL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：212W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
