品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7E80W,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7E80W,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP7N80K5
功率:110W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
输入电容:360pF@100V
栅极电荷:13.4nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM80N1R2CL C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:685pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7E80W,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: