品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJP08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.62Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7N90CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@720mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@720mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@2.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@720mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFBF30S-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@2.2A,100V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFBF30S-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@2.2A,100V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFBF30S-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@2.2A,100V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFBF30S-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@2.2A,100V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJP08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.62Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBF20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@720mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: