品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ44PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2104}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD079N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ40PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ40PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC076N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB081N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB55NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":976,"22+":6275}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLU3636PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB081N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB081N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NQ5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ44PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NKCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):50N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2928pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: