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    类型: N沟道
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1556pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73.5W

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

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    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

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    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73.5W

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73.5W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1556pF@30V

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    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73.5W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1556pF@30V

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    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

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    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

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    功率:73.5W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1556pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73.5W

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    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1556pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06PQ56 RLG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:44A

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    输入电容:1556pF@30V

    功率:73.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1426pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09KTC 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09KTC 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1426pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1426pF@30V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1185pF@30V

    漏源电压:60V

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    功率:3.6W€43W

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