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    类型: N沟道
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 2V@250µA
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:40A€287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2164pF@25V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:35A€224A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002W-TP 起订9个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002W-TP 起订9个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LW-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LW-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-13 起订42个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-13 起订42个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002AQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订53个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订53个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS3D3N06CLTWG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS3D3N06CLTWG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS3D3N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€100W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:26A€133A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@4.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2310-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2310-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:247pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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