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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2610E
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€59.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：19A€46A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1088pF@30V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A€279A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A€279A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
