采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
功率：500mW
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075S-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：320mΩ@1A，4V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
类型：N-Channel
栅极电荷：14nC@10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
功率：500mW
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L020SNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
类型：N-Channel
栅极电荷：14nC@10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075S-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：150pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L020SNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
功率：500mW
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075SQ-13
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020N06HZGTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075SQ-13
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
类型：N-Channel
栅极电荷：14nC@10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075SQ-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：37900，"15+"：2558，"17+"：45041}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
输入电容：310pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：137mΩ@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
栅极电荷：10nC@4V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075S-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075S-13
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：606pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：150pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：320mΩ@1A，4V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
