采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1455，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN120ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
