采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0655DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0652DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0652DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0652DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0655DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
