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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：10.8A€46.9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532NQ5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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