采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC031N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：4V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6007LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1330EDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：710mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€24W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：9.8A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
