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    类型: N沟道
    漏源电压: 60V
    连续漏极电流: 24A
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LAG 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LAG 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06LAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06T4 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06T4 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M33-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M33-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD24N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD24N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M33-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD24N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30N6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD24N06LT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD24N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M33-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M33-60EX 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M33-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30N6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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