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    类型: N沟道
    漏源电压: 300V
    阈值电压: 5V@250µA
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:80+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB38N30U

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@19A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQA44N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA44N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":374}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA44N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:43.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@21.75A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:81
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FQA44N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA44N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":374}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA44N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:43.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@21.75A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@26A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQP3N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQP3N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP3N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:230pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH88N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH88N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH88N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6300pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@44A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    加购:30
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ88N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ88N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ88N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6300pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@44A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@26A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH88N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH88N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH88N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6300pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@44A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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