品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":565,"05+":190}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":565,"05+":190}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: