采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：59610，"07+"：207000，"08+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4839NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1588pF@12V
连续漏极电流：9.5A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4386DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4386DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4386DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4839NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1588pF@12V
连续漏极电流：9.5A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：59610，"07+"：207000，"08+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4839NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1588pF@12V
连续漏极电流：9.5A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
