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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4406DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4406DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4406DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
