采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4576
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：951pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：2448，"08+"：6022，"10+"：2425，"MI+"：6750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB147N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DSP-00#J0
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
